氮化矽的電絕緣效能如何•◕◕？

　　氮化矽是一種比較常見的鐵合金材料•↟•☁，因為其效能原因•↟•☁，在很多領域得到了廣泛的應用•↟•☁，那麼氮化矽的電絕緣緣效能如何•◕◕？我們一起來了解一下•◕◕？

　　氮化矽陶瓷可做高溫絕緣材料•↟•☁，其效能指標的優劣主要取決於合成方式與純度•↟•☁，材料內未被氮化的遊離矽•↟•☁，在製備中帶入的鹼金屬│↟▩╃、鹼土金屬│↟▩╃、鐵│↟▩╃、鈦│↟▩╃、鎳等雜誌•↟•☁，均可惡化氮化矽陶瓷的電效能↟☁。一般氮化矽陶瓷在室溫下│↟▩╃、在乾燥介質中的比電阻為1015～1016歐姆•↟•☁，介電常數是9.4～9.5•↟•☁，在高溫下•↟•☁，氮化矽陶瓷仍保持較高的比電阻值•↟•☁，隨著工藝條件的提高•↟•☁，氮化矽可以進入常用電介質行列↟☁。

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